莆田市图书馆

林兰英（1918—2003） 林兰英，女，莆田县城内下务巷（今荔城区镇海街道凤山）人。民国7年（1918年）2月生。 兰英自幼好学不倦，成绩优异。民国19年，她从莆田砺青小学毕业后保送进入砺青中学，始终保持全年段第一。考入省立莆田中学高中部，又成了当时高一年段唯一的一名女生。一年后，转学到咸益女子中学，她又连续四个学期考了全年级第一名。民国25年夏，她以优异成绩考入协和大学。 民国29年，毕业于协和大学数学系，并留校工作。8年之后，赴美国留学，进入狄金逊学院数学系深造。民国38年夏，美国荣誉学会狄金逊分会授予她一枚象征荣誉的金钥匙。不久她进入宾夕法尼亚大学研究院攻读固体物理学。1955年6月，她在该校获得固体物理学博士学位，成为该大学建校115年来第一个中国博士。同年，兰英应纽约索非尼亚公司之聘，从事半导体研究，成为一位知名的半导体材料专家。 1957年1月，兰英接到其父家书，信中提到国务院总理周恩来希望她回国参加祖国建设的意愿。兰英深受感动，取道香港回国，任中国科学院半导体研究所研究员，后升任副所长。 兰英回国半年之后，拉制出中国第一只锗单晶。1961年，她主持设计出具有中国特色的开门式硅单晶炉，由于这种炉的技术先进，还远销多个国家。1962年春，她成功拉制出中国第一根无位错硅单晶，其质量达到世界先进水平；同年10月，研制出中国第一个砷化镓单晶样品，其电子迁移率达到当时世界最高水平，为1964年中国第一只砷化镓二极管激光器的问世准备了条件，为中国微电子学和光电子学的创立奠定了基础。 1973年，兰英首次提出用汽相外延和液相外延法制取砷化镓单晶，这种砷化镓汽相外延电子迁移率，至今还保持国际领先地位。1980年，兰英当选为中国科学院院士（学部委员），同时兼任中国电子学会电子材料委员会主任。 1981年，兰英合作完成4千位、16千位大规模集成电路——硅栅MOS随机存储器的研制。1980年、1982年两次获得中国科学院重大科技成果一等奖，1985年获国家科技进步二等奖。1987年8月，兰英提出在太空微重力条件下拉制砷化镓的设想，并在中国第九颗返回式人造卫星上得以实现。以后又相继四次在中国返回式卫星上生长砷化镓单晶。由她倡导和组织领导的这一太空材料的研制成果，无论是试验材料品种及其困难度，生长晶体体积之大，所采用的熔体生长方法等，都居国际领先地位。这项划时代的顶尖科技成果，获得中国科学院1989年科技进步一等奖，得到了美、日、德等国科学家的高度评价。为此，兰英赢得了“太空材料之母”的称誉。 1990年，兰英获国家科技进步三等奖。1996年，获何梁何利基金科学与技术进步奖，1998年，获霍英东成就奖。 由于兰英在中国半导体材料研究上的突出贡献，2002年，中国首家化合物半导体材料企业成立时就以其名字命名为“中国科学院镓英半导体有限公司”，砷化镓研究项目从此实现了产业化。兰英从事半导体材料科学研究40余年，是中国半导体材料科学的奠基人和开拓者。 兰英曾当选为第三届、第七届全国人民代表大会常务委员会委员、第二届至第四届中国科学技术协会副主席。 2003年3月4日，兰英在北京病逝，终年85岁。